서울반도체의 ‘인듐갈륨나이트라이드(InGaN)’계 LED소자에 대한 특허가 미국 법원의 ‘특허 청구범위의 법적 해석(claim construction)’을 통해 입증됐다.
26일 서울반도체에 따르면 지난 21일 미국 텍사스 법원은 활성층에 InGaN를 사용하는 LED는 In(인듐)의 구조적 특성상 서울반도체 특허를 사용한다는 내용의 심의를 종결·발표했다.
‘InGaN’는 백색, 청색, 녹색, 자외선 LED의 활성층을 구성하는 필수물질로 이번 판결 대상인 미국특허 5,075,742(이하 742)는 일본, 독일, 영국, 프랑스에서도 패밀리 특허로 등록돼 있다.
이로써 ‘742특허’가 등록돼 있는 여러 국가의 법률에 따라 특허를 침해한 회사에 대해 판매 및 사용 금지명령 및 과거의 침해에 대한 금전적 손해배상을 청구할 수 있다. 저촉되는 해당 업체들은 서울반도체와의 적절한 제휴를 통해 라이센스를 받아 사용할 수 있으며 미국과 일본의 3개사가 라이센스를 받은 상태이다.
서울반도체의 관계자는 “다른 회사들의 지적재산권을 존중한다”며 “지적재산권을 존중하는 기업과는 공정하게 경쟁을 할 것이나 그렇지 않는 기업들로부터는 지적재산권을 보호하기 위해 향후 특허전략을 통해 공격적으로 대응할 것”이라고 밝혔다.